Тип - внешний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - 1.8", Тип памяти - 3D TLC NAND, Внешняя скорость записи - 2000 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 2000 МБ/с, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x, Контроллер - Realtek RTS5766DL, Тип памяти - 3D QLC NAND / 96-Layer SpecTek (Micron) /, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 1800 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 2400 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 150 тыс, IOPS считывания - 180 тыс, Выносливость (TBW) - 260 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.2 раз/день, Гарантия производителя - 3 года,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 512 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x, Контроллер - Realtek RTS5766DL, Тип памяти - 3D QLC NAND / 96-Layer SpecTek (Micron) /, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 1000 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 2400 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 150 тыс, IOPS считывания - 90 тыс, Выносливость (TBW) - 130 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.2 раз/день, Гарантия производителя - 3 года,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 2000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Тип памяти - 3D TLC NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 2800 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 3500 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, Выносливость (TBW) - 1200 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.6 раз/день, Гарантия производителя - 3 года,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Тип памяти - 3D NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 4000 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 6000 МБ/с, Наработка на отказ - 2 млн. ч, Выносливость (TBW) - 320 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.2 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 2000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Тип памяти - 3D NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 5000 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 6000 МБ/с, Наработка на отказ - 2 млн. ч, Выносливость (TBW) - 640 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.2 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 500 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Тип памяти - 3D NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 3000 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 5000 МБ/с, Наработка на отказ - 2 млн. ч, Выносливость (TBW) - 160 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.2 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Контроллер - Maxio MAP1602, Тип памяти - 3D TLC NAND / YMTC 232-слойная /, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 4700 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 7000 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, Выносливость (TBW) - 1000 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.5 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 2000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Контроллер - Maxio MAP1602, Тип памяти - 3D TLC NAND / YMTC 232-слойная /, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 5400 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 7000 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, Выносливость (TBW) - 2000 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.5 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 512 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Контроллер - Maxio MAP1602, Тип памяти - 3D TLC NAND / YMTC 232-слойная /, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 2300 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 6200 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, Выносливость (TBW) - 500 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.5 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x, Контроллер - Phison PS5026 E26, Буферная память - 2000 МБ / Hynix LPDDR4-4266 /, Тип памяти - 3D NAND / Micron 232-Layer /, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 8500 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 9500 МБ/с, Наработка на отказ - 1.6 млн. ч, IOPS записи - 1400 тыс, IOPS считывания - 1300 тыс, Выносливость (TBW) - 700 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x, Контроллер - Silicon Motion SM2508 / TSMC 6nm /, Тип памяти - 3D NAND / 232-layer /, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 10000 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 14000 МБ/с, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 1650 тыс, IOPS считывания - 1600 тыс, Выносливость (TBW) - 740 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 4000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x, Контроллер - Silicon Motion SM2508 / TSMC 6nm /, Тип памяти - 3D NAND / 232-layer /, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 13000 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 14000 МБ/с, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 1650 тыс, IOPS считывания - 1950 тыс, Выносливость (TBW) - 2960 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x, Контроллер - Silicon Motion SM2508 / TSMC 6nm /, Тип памяти - 3D TLC NAND / 232-layer /, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 10000 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 14000 МБ/с, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 1650 тыс, IOPS считывания - 1600 тыс, Выносливость (TBW) - 740 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 2000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x, Контроллер - Silicon Motion SM2508 / TSMC 6nm /, Тип памяти - 3D TLC NAND / 232-layer /, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 13000 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 14000 МБ/с, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 1650 тыс, IOPS считывания - 2000 тыс, Выносливость (TBW) - 1480 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,