SSD Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW 4 ТБ UA
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 4000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контролер - Samsung MKX,
Буферна пам'ять - 4000 МБ,
Тип пам'яті - 3D TLC NAND / Samsung 128-шарова 512-Гбіт 3D TLC V-NAND /,
Зовнішня швидкість запису - 530 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 560 МБ/с,
Ударостійкість під час роботи - 1500 G,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 88 тис,
IOPS зчитування - 98 тис,
Витривалість (TBW) - 2400 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 5 років,
Подробніше
SSD Samsung 870 EVO MZ-77E500B/EU 500 ГБ EU
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 500 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контролер - Samsung MKX,
Буферна пам'ять - 512 МБ,
Тип пам'яті - 3D TLC NAND / Samsung 128-шарова 512-Гбіт 3D TLC V-NAND /,
Зовнішня швидкість запису - 530 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 560 МБ/с,
Ударостійкість під час роботи - 1500 G,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 88 тис,
IOPS зчитування - 98 тис,
Витривалість (TBW) - 300 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 5 років,
Подробніше
SSD Samsung 870 EVO MZ-77E500BW 500 ГБ UA
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 500 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контролер - Samsung MKX,
Буферна пам'ять - 512 МБ,
Тип пам'яті - 3D TLC NAND / Samsung 128-шарова 512-Гбіт 3D TLC V-NAND /,
Зовнішня швидкість запису - 530 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 560 МБ/с,
Ударостійкість під час роботи - 1500 G,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 88 тис,
IOPS зчитування - 98 тис,
Витривалість (TBW) - 300 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 5 років,
Подробніше
SSD Samsung 870 QVO MZ-77Q1T0 1 ТБ
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 1000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контролер - Samsung MKX,
Буферна пам'ять - 1000 МБ,
Тип пам'яті - 3D QLC NAND,
Зовнішня швидкість запису - 530 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 560 МБ/с,
Ударостійкість під час роботи - 1500 G,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 88 тис,
IOPS зчитування - 98 тис,
Витривалість (TBW) - 360 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 3 роки,
Подробніше
SSD Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0 2 ТБ
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 2000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контролер - Samsung MKX,
Буферна пам'ять - 2000 МБ,
Тип пам'яті - 3D QLC NAND,
Зовнішня швидкість запису - 530 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 560 МБ/с,
Ударостійкість під час роботи - 1500 G,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 88 тис,
IOPS зчитування - 98 тис,
Витривалість (TBW) - 720 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 3 роки,
Подробніше
SSD Samsung 870 QVO MZ-77Q4T0 4 ТБ
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 4000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контролер - Samsung MKX,
Буферна пам'ять - 4000 МБ,
Тип пам'яті - 3D QLC NAND,
Зовнішня швидкість запису - 530 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 560 МБ/с,
Ударостійкість під час роботи - 1500 G,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 88 тис,
IOPS зчитування - 98 тис,
Витривалість (TBW) - 1440 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 3 роки,
Подробніше
SSD Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0 8 ТБ
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 8000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контролер - Samsung MKX,
Буферна пам'ять - 8000 МБ,
Тип пам'яті - 3D QLC NAND,
Зовнішня швидкість запису - 530 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 560 МБ/с,
Ударостійкість під час роботи - 1500 G,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 88 тис,
IOPS зчитування - 98 тис,
Витривалість (TBW) - 2880 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 3 роки,
Подробніше
SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0 1 ТБ без радіатора
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Інтерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контролер - Samsung Presto,
Буферна пам'ять - 1000 МБ / LPDDR4X /,
Тип пам'яті - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /,
NVMe - +,
Зовнішня швидкість запису - 13300 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 14700 МБ/с,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 2600 тис,
IOPS зчитування - 1850 тис,
Витривалість (TBW) - 600 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 5 років,
Подробніше
SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0CW 1 ТБ з радіатором
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Інтерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контролер - Samsung Presto,
Буферна пам'ять - 1000 МБ / LPDDR4X /,
Тип пам'яті - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /,
NVMe - +,
Зовнішня швидкість запису - 13300 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 14700 МБ/с,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 2600 тис,
IOPS зчитування - 1850 тис,
Витривалість (TBW) - 600 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 5 років,
Подробніше
SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 2 ТБ без радіатора
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Інтерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контролер - Samsung Presto,
Буферна пам'ять - 2000 МБ / LPDDR4X /,
Тип пам'яті - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /,
NVMe - +,
Зовнішня швидкість запису - 13400 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 14700 МБ/с,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 2600 тис,
IOPS зчитування - 1850 тис,
Витривалість (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 5 років,
Подробніше
SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW 2 ТБ з радіатором
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Інтерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контролер - Samsung Presto,
Буферна пам'ять - 2000 МБ / LPDDR4X /,
Тип пам'яті - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /,
NVMe - +,
Зовнішня швидкість запису - 13400 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 14700 МБ/с,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 2600 тис,
IOPS зчитування - 1850 тис,
Витривалість (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 5 років,
Подробніше
SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 4 ТБ без радіатора
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 4000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Інтерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контролер - Samsung Presto,
Буферна пам'ять - 4000 МБ / LPDDR4X /,
Тип пам'яті - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /,
NVMe - +,
Зовнішня швидкість запису - 13400 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 14800 МБ/с,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 2600 тис,
IOPS зчитування - 2200 тис,
Витривалість (TBW) - 2400 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 5 років,
Подробніше
SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0CW 4 ТБ з радіатором
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 4000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Інтерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контролер - Samsung Presto,
Буферна пам'ять - 4000 МБ / LPDDR4X /,
Тип пам'яті - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /,
NVMe - +,
Зовнішня швидкість запису - 13400 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 14800 МБ/с,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 2600 тис,
IOPS зчитування - 2200 тис,
Витривалість (TBW) - 2400 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 5 років,
Подробніше
SSD Samsung 970 EVO Plus M.2 MZ-V7S250BW 250 ГБ
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 250 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Інтерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x,
Контролер - Samsung Phoenix,
Буферна пам'ять - 512 МБ,
Тип пам'яті - 3D TLC NAND / 96-шаровий (3-bit MLC) /,
NVMe - +,
Зовнішня швидкість запису - 2300 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 3500 МБ/с,
Ударостійкість під час роботи - 1500 G,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 550 тис,
IOPS зчитування - 250 тис,
Витривалість (TBW) - 150 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 5 років,
Подробніше
SSD Samsung 980 PRO MZ-V8P2T0BW 2 ТБ без радіатора
Тип - внутрішній,
Об'єм накопичувача - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Інтерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контролер - Samsung Elpis,
Буферна пам'ять - 2000 МБ / DDR4 /,
Тип пам'яті - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Зовнішня швидкість запису - 5100 МБ/с,
Зовнішня швидкість зчитування - 7000 МБ/с,
Напрацювання на відмову - 1.5 млн. год,
IOPS запису - 1000 тис,
IOPS зчитування - 1000 тис,
Витривалість (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапис (DWPD) - 0.3 разів/день,
Гарантія виробника - 5 років,
Подробніше