Тип - внутренний, Объем накопителя - 240 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Контроллер - Silicon Motion SM2258XT, Тип памяти - 3D TLC NAND, Внешняя скорость записи - 450 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 520 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 75 тыс, IOPS считывания - 40 тыс, Выносливость (TBW) - 140 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.55 раз/день, Гарантия производителя - 3 года,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Тип памяти - 3D TLC NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 3200 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 5000 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, Выносливость (TBW) - 250 ТБ, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x, Тип памяти - 3D TLC NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 2700 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 3300 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 293 тыс, IOPS считывания - 325 тыс, Выносливость (TBW) - 600 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 2000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x, Тип памяти - 3D TLC NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 2600 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 3150 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 280 тыс, IOPS считывания - 379 тыс, Выносливость (TBW) - 1200 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 512 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x, Тип памяти - 3D TLC NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 2200 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 3200 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 190 тыс, IOPS считывания - 296 тыс, Выносливость (TBW) - 300 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 500 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Тип памяти - 3D NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 3100 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 6300 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 600 тыс, IOPS считывания - 600 тыс, Выносливость (TBW) - 250 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Тип памяти - 3D NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 6200 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 7200 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 850 тыс, IOPS считывания - 1000 тыс, Выносливость (TBW) - 500 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 2000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Тип памяти - 3D NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 6200 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 7200 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 800 тыс, IOPS считывания - 1000 тыс, Выносливость (TBW) - 1000 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 4000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Тип памяти - 3D NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 6100 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 7100 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 820 тыс, IOPS считывания - 1000 тыс, Выносливость (TBW) - 2000 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x, Тип памяти - 3D NAND, Внешняя скорость записи - 4700 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 5200 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 850 тыс, IOPS считывания - 700 тыс, Выносливость (TBW) - 600 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 128 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Тип памяти - 3D TLC NAND, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 2 млн. ч, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 128 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - SATA 3, Тип памяти - 3D TLC NAND, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 2 млн. ч, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - SATA 3, Тип памяти - 3D TLC NAND, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 2 млн. ч, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 2000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - SATA 3, Тип памяти - 3D TLC NAND, Внешняя скорость записи - 503 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 558 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 2 млн. ч, Выносливость (TBW) - 1120 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x, Контроллер - Phison PS5026-E26, Тип памяти - 3D TLC NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 11800 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 12000 МБ/с, Наработка на отказ - 1.6 млн. ч, IOPS записи - 1400 тыс, IOPS считывания - 1400 тыс, Гарантия производителя - 5 лет,