Товары без предложений
SSD GOODRAM HX100 SSDPR-HX100-512 512 ГБ
Тип - внешний,
Объем накопителя - 512 ГБ,
Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 900 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 950 МБ/с,
Выносливость (TBW) - 330 ТБ,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD GOODRAM HX200 SSDPR-HX200-1K0-RG 1 ТБ
Тип - внешний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 1400 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 1500 МБ/с,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD GOODRAM HX200 SSDPR-HX200-2K0-RG 2 ТБ
Тип - внешний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 1500 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 1600 МБ/с,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD GOODRAM IRDM M.2 IR-SSDPR-P34B-256-80 256 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 256 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x,
Контроллер - Phison E12,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 1000 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 3000 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.8 млн. ч,
IOPS записи - 250 тыс,
IOPS считывания - 149 тыс,
Выносливость (TBW) - 150 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD GOODRAM IRDM PRO GEN.5 IRP-SSDPR-P54S-1K0-80 1 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контроллер - Phison PS5026-E26,
Буферная память - 2048 МБ / LPDDR4 /,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 9000 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 11500 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.6 млн. ч,
IOPS записи - 1400 тыс,
IOPS считывания - 1300 тыс,
Выносливость (TBW) - 700 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD GOODRAM IRDM PRO GEN.5 IRP-SSDPR-P54S-2K0-80 2 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контроллер - Phison PS5026-E26,
Буферная память - 4096 МБ / LPDDR4 /,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 11000 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 12000 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.6 млн. ч,
IOPS записи - 1400 тыс,
IOPS считывания - 1400 тыс,
Выносливость (TBW) - 1400 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD GOODRAM IRDM PRO M.2 IRP-SSDPR-P44A-1K0-80 1 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Phison E18,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 5500 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7000 МБ/с,
IOPS записи - 700 тыс,
IOPS считывания - 350 тыс,
Выносливость (TBW) - 700 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD GOODRAM IRDM PRO NANO IRP-SSDPR-P44N-01T-30 1.02 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1024 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Тип памяти - 3D NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6000 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7300 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 850 тыс,
IOPS считывания - 750 тыс,
Выносливость (TBW) - 600 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD GOODRAM IRDM PRO NANO IRP-SSDPR-P44N-02T-30 2.05 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2048 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Тип памяти - 3D NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6000 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7300 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 850 тыс,
IOPS считывания - 750 тыс,
Выносливость (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD GOODRAM IRDM PRO NANO IRP-SSDPR-P44N-512-30 512 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 512 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Тип памяти - 3D NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 4600 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 5100 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 920 тыс,
IOPS считывания - 780 тыс,
Выносливость (TBW) - 300 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD GOODRAM Move Ridge SSDR-GMRE-01T-K0 1 ТБ
Тип - внешний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Тип памяти - 3D NAND,
Внешняя скорость записи - 2000 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 2000 МБ/с,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD GOODRAM Move Ridge SSDR-GMRE-512-K0 512 ГБ
Тип - внешний,
Объем накопителя - 512 ГБ,
Тип памяти - 3D NAND,
Внешняя скорость записи - 1500 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 2000 МБ/с,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD GOODRAM PX500 GEN.2 SSDPR-PX500-01T-80-G2 1 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 1650 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 2050 МБ/с,
Наработка на отказ - 2 млн. ч,
Выносливость (TBW) - 660 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.6 раз/день,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD GOODRAM PX500 GEN.2 SSDPR-PX500-256-80-G2 256 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 256 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 950 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 1850 МБ/с,
Наработка на отказ - 2 млн. ч,
Выносливость (TBW) - 170 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.6 раз/день,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD GOODRAM PX500 SSDPR-PX500-01T-80 1 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x,
Контроллер - Silicon Motion 2263XT,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 1600 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 2050 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 280 тыс,
IOPS считывания - 240 тыс,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее