Товари без пропозицій
Оперативна память Samsung DDR2 1x2Gb M378T5663EH3-CF7
Об'єм пам'яті комплекту - 2 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR2,
Тактова частота - 800 МГц,
Пропускна здатність - 6400 МБ/с,
Схема таймінгу пам'яті - 6-6-6,
Робоча напруга - 1.8 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR2 1x2Gb M378T5663QZ3-CF7
Об'єм пам'яті комплекту - 2 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR2,
Тактова частота - 800 МГц,
Пропускна здатність - 6400 МБ/с,
Схема таймінгу пам'яті - 6-6-6,
Робоча напруга - 1.8 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR2 1x2Gb M378T5663RZ3-CF7
Об'єм пам'яті комплекту - 2 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR2,
Тактова частота - 800 МГц,
Пропускна здатність - 6400 МБ/с,
CAS-латентність - CL6,
Схема таймінгу пам'яті - 6-6-6,
Робоча напруга - 1.8 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR2 SO-DIMM 1x2Gb M470T5663EH3-CF7
Об'єм пам'яті комплекту - 2 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип пам'яті - DDR2,
Тактова частота - 800 МГц,
Пропускна здатність - 6400 МБ/с,
Робоча напруга - 1.8 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR2 SO-DIMM 1x2Gb M470T5663QZ3-CF7
Об'єм пам'яті комплекту - 2 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип пам'яті - DDR2,
Тактова частота - 800 МГц,
Пропускна здатність - 6400 МБ/с,
CAS-латентність - CL6,
Схема таймінгу пам'яті - 6-6-6,
Робоча напруга - 1.8 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR3 1x16Gb M393B2G70EB0-YK0
Об'єм пам'яті комплекту - 16 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1600 МГц,
Пропускна здатність - 12800 МБ/с,
CAS-латентність - CL11,
Схема таймінгу пам'яті - 11-11-11,
Робоча напруга - 1.35 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR3 1x2Gb M378B5673FH0-CH9
Об'єм пам'яті комплекту - 2 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1333 МГц,
Пропускна здатність - 10600 МБ/с,
CAS-латентність - CL9,
Робоча напруга - 1.5 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR3 1x2Gb M378B5773CH0-CH9
Об'єм пам'яті комплекту - 2 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1333 МГц,
Пропускна здатність - 10600 МБ/с,
CAS-латентність - CL9,
Схема таймінгу пам'яті - 9-9-9,
Робоча напруга - 1.5 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR3 1x2Gb M378B5773DH0-CH9
Об'єм пам'яті комплекту - 2 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1333 МГц,
Пропускна здатність - 10600 МБ/с,
CAS-латентність - CL9,
Схема таймінгу пам'яті - 9-9-9,
Робоча напруга - 1.5 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR3 1x2Gb M378B5773QB0-CK0
Об'єм пам'яті комплекту - 2 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1600 МГц,
Пропускна здатність - 12800 МБ/с,
CAS-латентність - CL11,
Схема таймінгу пам'яті - 11-11-11,
Робоча напруга - 1.5 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR3 1x32Gb M386B4G70DM0-CMA
Об'єм пам'яті комплекту - 32 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1866 МГц,
Пропускна здатність - 14900 МБ/с,
CAS-латентність - CL13,
Схема таймінгу пам'яті - 13-13-13,
Робоча напруга - 1.35 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173BH0-CK0
Об'єм пам'яті комплекту - 4 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1600 МГц,
Пропускна здатність - 12800 МБ/с,
CAS-латентність - CL11,
Схема таймінгу пам'яті - 11-11-11,
Робоча напруга - 1.5 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173CB0-CK0
Об'єм пам'яті комплекту - 4 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1600 МГц,
Пропускна здатність - 12800 МБ/с,
CAS-латентність - CL11,
Схема таймінгу пам'яті - 11-11-11,
Робоча напруга - 1.5 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173DB0-CK
Об'єм пам'яті комплекту - 4 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1600 МГц,
Пропускна здатність - 12800 МБ/с,
CAS-латентність - CL11,
Схема таймінгу пам'яті - 11-11-11,
Робоча напруга - 1.5 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173EB0-CK0
Об'єм пам'яті комплекту - 4 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1600 МГц,
Пропускна здатність - 12800 МБ/с,
CAS-латентність - CL11,
Схема таймінгу пам'яті - 11-11-11,
Робоча напруга - 1.5 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше