Товары без предложений
Оперативная память Samsung DDR2 1x2Gb M378T5663EH3-CF7
Объем памяти комплекта - 2 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR2,
Тактовая частота - 800 МГц,
Пропускная способность - 6400 МБ/с,
Схема таймингов памяти - 6-6-6,
Рабочее напряжение - 1.8 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR2 1x2Gb M378T5663QZ3-CF7
Объем памяти комплекта - 2 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR2,
Тактовая частота - 800 МГц,
Пропускная способность - 6400 МБ/с,
Схема таймингов памяти - 6-6-6,
Рабочее напряжение - 1.8 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR2 1x2Gb M378T5663RZ3-CF7
Объем памяти комплекта - 2 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR2,
Тактовая частота - 800 МГц,
Пропускная способность - 6400 МБ/с,
CAS-латентность - CL6,
Схема таймингов памяти - 6-6-6,
Рабочее напряжение - 1.8 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR2 SO-DIMM 1x2Gb M470T5663EH3-CF7
Объем памяти комплекта - 2 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR2,
Тактовая частота - 800 МГц,
Пропускная способность - 6400 МБ/с,
Рабочее напряжение - 1.8 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR2 SO-DIMM 1x2Gb M470T5663QZ3-CF7
Объем памяти комплекта - 2 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR2,
Тактовая частота - 800 МГц,
Пропускная способность - 6400 МБ/с,
CAS-латентность - CL6,
Схема таймингов памяти - 6-6-6,
Рабочее напряжение - 1.8 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x16Gb M393B2G70EB0-YK0
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.35 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x2Gb M378B5673FH0-CH9
Объем памяти комплекта - 2 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1333 МГц,
Пропускная способность - 10600 МБ/с,
CAS-латентность - CL9,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x2Gb M378B5773CH0-CH9
Объем памяти комплекта - 2 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1333 МГц,
Пропускная способность - 10600 МБ/с,
CAS-латентность - CL9,
Схема таймингов памяти - 9-9-9,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x2Gb M378B5773DH0-CH9
Объем памяти комплекта - 2 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1333 МГц,
Пропускная способность - 10600 МБ/с,
CAS-латентность - CL9,
Схема таймингов памяти - 9-9-9,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x2Gb M378B5773QB0-CK0
Объем памяти комплекта - 2 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x32Gb M386B4G70DM0-CMA
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1866 МГц,
Пропускная способность - 14900 МБ/с,
CAS-латентность - CL13,
Схема таймингов памяти - 13-13-13,
Рабочее напряжение - 1.35 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173BH0-CK0
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173CB0-CK0
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173DB0-CK
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173EB0-CK0
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее