Товари без пропозицій

Оперативна память Samsung M471 DDR3 SO-DIMM 1x4Gb M471B5173BH0-CK0

Об'єм пам'яті комплекту - 4 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR3, Тактова частота - 1600 МГц, Пропускна здатність - 12800 МБ/с, CAS-латентність - CL11, Схема таймінгу пам'яті - 11-11-11, Робоча напруга - 1.5 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16Gb M471A2G43CB2-CWE

Об'єм пам'яті комплекту - 16 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Ранг / канальність пам'яті - дворангова, Тактова частота - 3200 МГц, Пропускна здатність - 25600 МБ/с, CAS-латентність - CL22, Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16Gb M471A2K43CB1-CTD

Об'єм пам'яті комплекту - 16 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Тактова частота - 2666 МГц, Пропускна здатність - 21300 МБ/с, CAS-латентність - CL19, Схема таймінгу пам'яті - 19-19-19, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16Gb M471A2K43DB1-CTD

Об'єм пам'яті комплекту - 16 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Тактова частота - 2666 МГц, Пропускна здатність - 21300 МБ/с, CAS-латентність - CL19, Схема таймінгу пам'яті - 19-19-19, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16Gb M471A2K43DB1-CWE

Об'єм пам'яті комплекту - 16 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Ранг / канальність пам'яті - дворангова, Тактова частота - 3200 МГц, Пропускна здатність - 25600 МБ/с, CAS-латентність - CL22, Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16Gb M471A2K43EB1-CWE

Об'єм пам'яті комплекту - 16 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Ранг / канальність пам'яті - дворангова, Тактова частота - 3200 МГц, Пропускна здатність - 25600 МБ/с, CAS-латентність - CL22, Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x32Gb M471A4G43AB1-CWE

Об'єм пам'яті комплекту - 32 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Ранг / канальність пам'яті - дворангова, Тактова частота - 3200 МГц, Пропускна здатність - 25600 МБ/с, CAS-латентність - CL22, Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x32Gb M471A4G43MB1-CTD

Об'єм пам'яті комплекту - 32 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Ранг / канальність пам'яті - дворангова, Тактова частота - 2666 МГц, Пропускна здатність - 21300 МБ/с, CAS-латентність - CL19, Схема таймінгу пам'яті - 19-19-19, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x4Gb M471A5244CB0-CRC

Об'єм пам'яті комплекту - 4 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Тактова частота - 2400 МГц, Пропускна здатність - 19200 МБ/с, CAS-латентність - CL17, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x4Gb M471A5244CB0-CTD

Об'єм пам'яті комплекту - 4 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Тактова частота - 2666 МГц, Пропускна здатність - 21300 МБ/с, CAS-латентність - CL19, Схема таймінгу пам'яті - 19-19-19, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1G44AB0-CWE

Об'єм пам'яті комплекту - 8 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Ранг / канальність пам'яті - однорангова, Тактова частота - 3200 МГц, Пропускна здатність - 25600 МБ/с, CAS-латентність - CL22, Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1G44BB0-CWE

Об'єм пам'яті комплекту - 8 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Тактова частота - 3200 МГц, Пропускна здатність - 25600 МБ/с, CAS-латентність - CL22, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1G44CB0-CWE

Об'єм пам'яті комплекту - 8 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Тактова частота - 3200 МГц, Пропускна здатність - 25600 МБ/с, CAS-латентність - CL22, Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1K43EB1-CWE

Об'єм пам'яті комплекту - 8 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - SO-DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Ранг / канальність пам'яті - однорангова, Тактова частота - 3200 МГц, Пропускна здатність - 25600 МБ/с, CAS-латентність - CL22, Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше

Оперативна память Samsung SEC DDR4 1x8Gb K4A8G085W-BCDE

Об'єм пам'яті комплекту - 8 GB, Кількість планок у комплекті - 1 шт., Форм-фактор - DIMM, Тип пам'яті - DDR4, Тактова частота - 3200 МГц, Пропускна здатність - 25600 МБ/с, CAS-латентність - CL22, Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22, Робоча напруга - 1.2 В, Тип охолодження - без охолодження, Профіль планки - стандартний,
Подробніше