Товары без предложений

Оперативная память Samsung M471 DDR3 SO-DIMM 1x4Gb M471B5173BH0-CK0

Объем памяти комплекта - 4 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR3, Тактовая частота - 1600 МГц, Пропускная способность - 12800 МБ/с, CAS-латентность - CL11, Схема таймингов памяти - 11-11-11, Рабочее напряжение - 1.5 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16Gb M471A2G43CB2-CWE

Объем памяти комплекта - 16 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Ранг / канальность памяти - двухранговая, Тактовая частота - 3200 МГц, Пропускная способность - 25600 МБ/с, CAS-латентность - CL22, Схема таймингов памяти - 22-22-22, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16Gb M471A2K43CB1-CTD

Объем памяти комплекта - 16 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2666 МГц, Пропускная способность - 21300 МБ/с, CAS-латентность - CL19, Схема таймингов памяти - 19-19-19, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16Gb M471A2K43DB1-CTD

Объем памяти комплекта - 16 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2666 МГц, Пропускная способность - 21300 МБ/с, CAS-латентность - CL19, Схема таймингов памяти - 19-19-19, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16Gb M471A2K43DB1-CWE

Объем памяти комплекта - 16 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Ранг / канальность памяти - двухранговая, Тактовая частота - 3200 МГц, Пропускная способность - 25600 МБ/с, CAS-латентность - CL22, Схема таймингов памяти - 22-22-22, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16Gb M471A2K43EB1-CWE

Объем памяти комплекта - 16 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Ранг / канальность памяти - двухранговая, Тактовая частота - 3200 МГц, Пропускная способность - 25600 МБ/с, CAS-латентность - CL22, Схема таймингов памяти - 22-22-22, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x32Gb M471A4G43AB1-CWE

Объем памяти комплекта - 32 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Ранг / канальность памяти - двухранговая, Тактовая частота - 3200 МГц, Пропускная способность - 25600 МБ/с, CAS-латентность - CL22, Схема таймингов памяти - 22-22-22, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x32Gb M471A4G43MB1-CTD

Объем памяти комплекта - 32 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Ранг / канальность памяти - двухранговая, Тактовая частота - 2666 МГц, Пропускная способность - 21300 МБ/с, CAS-латентность - CL19, Схема таймингов памяти - 19-19-19, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x4Gb M471A5244CB0-CRC

Объем памяти комплекта - 4 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2400 МГц, Пропускная способность - 19200 МБ/с, CAS-латентность - CL17, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x4Gb M471A5244CB0-CTD

Объем памяти комплекта - 4 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2666 МГц, Пропускная способность - 21300 МБ/с, CAS-латентность - CL19, Схема таймингов памяти - 19-19-19, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1G44AB0-CWE

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Ранг / канальность памяти - одноранговая, Тактовая частота - 3200 МГц, Пропускная способность - 25600 МБ/с, CAS-латентность - CL22, Схема таймингов памяти - 22-22-22, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1G44BB0-CWE

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 3200 МГц, Пропускная способность - 25600 МБ/с, CAS-латентность - CL22, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1G44CB0-CWE

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 3200 МГц, Пропускная способность - 25600 МБ/с, CAS-латентность - CL22, Схема таймингов памяти - 22-22-22, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1K43EB1-CWE

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Ранг / канальность памяти - одноранговая, Тактовая частота - 3200 МГц, Пропускная способность - 25600 МБ/с, CAS-латентность - CL22, Схема таймингов памяти - 22-22-22, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung SEC DDR4 1x8Gb K4A8G085W-BCDE

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 3200 МГц, Пропускная способность - 25600 МБ/с, CAS-латентность - CL22, Схема таймингов памяти - 22-22-22, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее