Оперативна память Samsung M323 DDR5 1x16Gb M323R2GA3DB0-CWM
Об'єм пам'яті комплекту - 16 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR5,
Тактова частота - 5600 МГц,
Пропускна здатність - 44800 МБ/с,
CAS-латентність - CL34,
Робоча напруга - 1.1 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung M323 DDR5 1x16Gb M323R2GA3PB0-CWM
Об'єм пам'яті комплекту - 16 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR5,
Тактова частота - 5600 МГц,
Пропускна здатність - 44800 МБ/с,
CAS-латентність - CL40,
Робоча напруга - 1.1 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung M378 DDR4 1x32Gb M378A4G43AB2-CWE
Об'єм пам'яті комплекту - 32 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR4,
Ранг / канальність пам'яті - дворангова,
Тактова частота - 3200 МГц,
Пропускна здатність - 25600 МБ/с,
CAS-латентність - CL22,
Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22,
Робоча напруга - 1.2 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung M378 DDR4 1x8Gb M378A1G44CB0-CWE
Об'єм пам'яті комплекту - 8 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR4,
Ранг / канальність пам'яті - однорангова,
Тактова частота - 3200 МГц,
Пропускна здатність - 25600 МБ/с,
CAS-латентність - CL22,
Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22,
Робоча напруга - 1.2 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x16Gb M425R2GA3BB0-CQK
Об'єм пам'яті комплекту - 16 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип пам'яті - DDR5,
Ранг / канальність пам'яті - однорангова,
Тактова частота - 4800 МГц,
Пропускна здатність - 38400 МБ/с,
CAS-латентність - CL40,
Робоча напруга - 1.1 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x16Gb M425R2GA3BB0-CWM
Об'єм пам'яті комплекту - 16 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип пам'яті - DDR5,
Ранг / канальність пам'яті - однорангова,
Тактова частота - 5600 МГц,
Пропускна здатність - 44800 МБ/с,
CAS-латентність - CL46,
Робоча напруга - 1.1 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16Gb M471A2G43CB2-CWE
Об'єм пам'яті комплекту - 16 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип пам'яті - DDR4,
Ранг / канальність пам'яті - дворангова,
Тактова частота - 3200 МГц,
Пропускна здатність - 25600 МБ/с,
CAS-латентність - CL22,
Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22,
Робоча напруга - 1.2 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x32Gb M471A4G43MB1-CTD
Об'єм пам'яті комплекту - 32 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип пам'яті - DDR4,
Ранг / канальність пам'яті - дворангова,
Тактова частота - 2666 МГц,
Пропускна здатність - 21300 МБ/с,
CAS-латентність - CL19,
Схема таймінгу пам'яті - 19-19-19,
Робоча напруга - 1.2 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x4Gb M471A5244CB0-CWE
Об'єм пам'яті комплекту - 4 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип пам'яті - DDR4,
Ранг / канальність пам'яті - однорангова,
Тактова частота - 3200 МГц,
Пропускна здатність - 25600 МБ/с,
CAS-латентність - CL22,
Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22,
Робоча напруга - 1.2 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1G44BB0-CWE
Об'єм пам'яті комплекту - 8 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип пам'яті - DDR4,
Тактова частота - 3200 МГц,
Пропускна здатність - 25600 МБ/с,
CAS-латентність - CL22,
Робоча напруга - 1.2 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1K43DB1-CWE
Об'єм пам'яті комплекту - 8 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип пам'яті - DDR4,
Тактова частота - 3200 МГц,
Пропускна здатність - 25600 МБ/с,
CAS-латентність - CL22,
Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22,
Робоча напруга - 1.2 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Samsung SEC DDR4 SO-DIMM 1x8Gb K4A8G085WC-BCWE
Об'єм пам'яті комплекту - 8 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип пам'яті - DDR4,
Тактова частота - 3200 МГц,
Пропускна здатність - 25600 МБ/с,
CAS-латентність - CL22,
Схема таймінгу пам'яті - 22-22-22,
Робоча напруга - 1.2 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Silicon Power DDR3 1x4Gb SP004GBLTU160N02
Об'єм пам'яті комплекту - 4 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1600 МГц,
Пропускна здатність - 12800 МБ/с,
CAS-латентність - CL11,
Робоча напруга - 1.5 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Silicon Power DDR3 1x4Gb SP004GLLTU160N02
Об'єм пам'яті комплекту - 4 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1600 МГц,
Пропускна здатність - 12800 МБ/с,
CAS-латентність - CL11,
Схема таймінгу пам'яті - 11-11-11,
Робоча напруга - 1.35 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше
Оперативна память Silicon Power DDR3 1x8Gb SP008GBLTU160N02
Об'єм пам'яті комплекту - 8 GB,
Кількість планок у комплекті - 1 шт.,
Форм-фактор - DIMM,
Тип пам'яті - DDR3,
Тактова частота - 1600 МГц,
Пропускна здатність - 12800 МБ/с,
CAS-латентність - CL11,
Схема таймінгу пам'яті - 11-11-11,
Робоча напруга - 1.5 В,
Тип охолодження - без охолодження,
Профіль планки - стандартний,
Подробніше