Оперативная память Samsung M323 DDR5 1x16Gb M323R2GA3DB0-CWM
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Тактовая частота - 5600 МГц,
Пропускная способность - 44800 МБ/с,
CAS-латентность - CL34,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M323 DDR5 1x16Gb M323R2GA3PB0-CWM
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Тактовая частота - 5600 МГц,
Пропускная способность - 44800 МБ/с,
CAS-латентность - CL40,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M378 DDR4 1x32Gb M378A4G43AB2-CWE
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M378 DDR4 1x8Gb M378A1G44CB0-CWE
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x16Gb M425R2GA3BB0-CQK
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 4800 МГц,
Пропускная способность - 38400 МБ/с,
CAS-латентность - CL40,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x16Gb M425R2GA3BB0-CWM
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 5600 МГц,
Пропускная способность - 44800 МБ/с,
CAS-латентность - CL46,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16Gb M471A2G43CB2-CWE
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x32Gb M471A4G43MB1-CTD
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 2666 МГц,
Пропускная способность - 21300 МБ/с,
CAS-латентность - CL19,
Схема таймингов памяти - 19-19-19,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x4Gb M471A5244CB0-CWE
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1G44BB0-CWE
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1K43DB1-CWE
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung SEC DDR4 SO-DIMM 1x8Gb K4A8G085WC-BCWE
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Silicon Power DDR3 1x4Gb SP004GBLTU160N02
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Silicon Power DDR3 1x4Gb SP004GLLTU160N02
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.35 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Silicon Power DDR3 1x8Gb SP008GBLTU160N02
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее