Товары без предложений

SSD Samsung 840 PRO MZ-7PD128BW 128 ГБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 128 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Тип памяти - MLC, Внешняя скорость записи - 390 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 530 МБ/с,
Подробнее

SSD Samsung 850 EVO MZ-75E1T0BW 1 ТБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Контроллер - Samsung MGX, Тип памяти - 3D TLC NAND, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 540 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 90 тыс, IOPS считывания - 98 тыс, Выносливость (TBW) - 150 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.1 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее

SSD Samsung 850 EVO MZ-75E500BW 500 ГБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 500 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Контроллер - Samsung MGX, Тип памяти - 3D TLC NAND, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 540 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 90 тыс, IOPS считывания - 98 тыс, Выносливость (TBW) - 150 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.2 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее

SSD Samsung 850 PRO MZ-7KE128BW 128 ГБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 128 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Контроллер - Samsung MEX, Тип памяти - 3D MLC NAND, Внешняя скорость записи - 470 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 90 тыс, IOPS считывания - 100 тыс, Выносливость (TBW) - 150 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 10 лет,
Подробнее

SSD Samsung 850 PRO MZ-7KE1T0BW 1 ТБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1000 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Контроллер - Samsung MEX, Тип памяти - 3D MLC NAND, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 90 тыс, IOPS считывания - 100 тыс, Выносливость (TBW) - 300 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.08 раз/день, Гарантия производителя - 10 лет,
Подробнее

SSD Samsung 850 PRO MZ-7KE2T0BW 2 ТБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 2000 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Контроллер - Samsung MEX, Тип памяти - 3D MLC NAND, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 90 тыс, IOPS считывания - 100 тыс, Выносливость (TBW) - 450 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.06 раз/день, Гарантия производителя - 10 лет,
Подробнее

SSD Samsung 850 PRO MZ-7KE512BW 512 ГБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 512 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Контроллер - Samsung MEX, Тип памяти - 3D MLC NAND, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 90 тыс, IOPS считывания - 100 тыс, Выносливость (TBW) - 300 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.2 раз/день, Гарантия производителя - 10 лет,
Подробнее

SSD Samsung 860 EVO M.2 MZ-N6E250BW 250 ГБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 250 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - SATA 3, Контроллер - Samsung MJX, Буферная память - 512 МБ, Тип памяти - 3D TLC NAND, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 88 тыс, IOPS считывания - 97 тыс, Выносливость (TBW) - 150 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее

SSD Samsung 860 EVO MZ-76E250BW 250 ГБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 250 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Контроллер - Samsung MJX, Буферная память - 512 МБ / LPDDR4 /, Тип памяти - 3D TLC NAND, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 90 тыс, IOPS считывания - 98 тыс, Выносливость (TBW) - 150 ТБ, Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее

SSD Samsung 860 EVO MZ-76E2T0BW 2 ТБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 2000 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Контроллер - Samsung MJX, Буферная память - 2048 МБ / LPDDR4 /, Тип памяти - 3D TLC NAND, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 90 тыс, IOPS считывания - 98 тыс, Выносливость (TBW) - 1200 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее

SSD Samsung 860 EVO MZ-76E4T0BW 4 ТБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 4000 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Контроллер - Samsung MJX, Буферная память - 4096 МБ / LPDDR4 /, Тип памяти - 3D TLC NAND, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 90 тыс, IOPS считывания - 98 тыс, Выносливость (TBW) - 2400 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее

SSD Samsung 860 PRO MZ-76P512BW 512 ГБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 512 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Контроллер - Samsung MJX, Буферная память - 512 МБ, Тип памяти - 3D MLC NAND, Внешняя скорость записи - 530 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 2 млн. ч, IOPS записи - 90 тыс, IOPS считывания - 100 тыс, Выносливость (TBW) - 600 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.7 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее

SSD Samsung 860 QVO MZ-76Q2T0BW 2 ТБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 2000 ГБ, Форм-фактор - 2.5", Контроллер - Samsung MJX, Буферная память - 2000 МБ / LPDDR4 /, Тип памяти - 3D QLC NAND / 64-слойная /, Внешняя скорость записи - 520 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 89 тыс, IOPS считывания - 97 тыс, Выносливость (TBW) - 720 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее

SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP8T0 8 ТБ без радиатора

Тип - внутренний, Объем накопителя - 8000 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x, Контроллер - Samsung Presto, Буферная память - 8000 МБ / LPDDR4X /, Тип памяти - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 13400 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 14800 МБ/с, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 2600 тыс, IOPS считывания - 2200 тыс, Выносливость (TBW) - 4800 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее

SSD Samsung 960 PRO M.2 MZ-V6P1T0BW 1.02 ТБ

Тип - внутренний, Объем накопителя - 1024 ГБ, Форм-фактор - M.2, Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x, Контроллер - Samsung Polaris, Буферная память - 1024 МБ, Тип памяти - 3D MLC NAND, NVMe - +, Внешняя скорость записи - 2100 МБ/с, Внешняя скорость считывания - 3500 МБ/с, Ударостойкость при работе - 1500 G, Наработка на отказ - 1.5 млн. ч, IOPS записи - 360 тыс, IOPS считывания - 440 тыс, Выносливость (TBW) - 800 ТБ, Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день, Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее