Товары без предложений
SSD PrologiX S360 PRO1000GS360 1 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Тип памяти - 3D TLC NAND,
Внешняя скорость записи - 510 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 530 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
Выносливость (TBW) - 480 ТБ,
Гарантия производителя - 1 год,
Подробнее
SSD PrologiX S380 PRO1000GS380 1 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x,
Контроллер - Maxio MAP1202A,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 2100 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 3400 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 200 тыс,
IOPS считывания - 300 тыс,
Выносливость (TBW) - 480 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD PrologiX S380 PRO512GS380 512 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 512 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x,
Контроллер - Maxio MAP1202A,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 1900 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 3400 МБ/с,
Наработка на отказ - 1 млн. ч,
IOPS записи - 200 тыс,
IOPS считывания - 300 тыс,
Выносливость (TBW) - 250 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.5 раз/день,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD Sabrent Rocket 4 Plus SB-RKT4P-4TB 4 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 4000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Phison PS5018-E18,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Micron 96L TLC /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6850 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7000 МБ/с,
IOPS записи - 700 тыс,
IOPS считывания - 650 тыс,
Выносливость (TBW) - 3000 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 840 EVO MZ-7TE250BW 250 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 250 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Тип памяти - TLC,
Внешняя скорость записи - 520 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 540 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
Подробнее
SSD Samsung 840 PRO MZ-7PD128BW 128 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 128 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Тип памяти - MLC,
Внешняя скорость записи - 390 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 530 МБ/с,
Подробнее
SSD Samsung 850 EVO MZ-75E1T0BW 1 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MGX,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
Внешняя скорость записи - 520 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 540 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 90 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 150 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.1 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 850 EVO MZ-75E500BW 500 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 500 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MGX,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
Внешняя скорость записи - 520 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 540 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 90 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 150 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.2 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 850 PRO MZ-7KE128BW 128 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 128 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MEX,
Тип памяти - 3D MLC NAND,
Внешняя скорость записи - 470 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с,
Наработка на отказ - 2 млн. ч,
IOPS записи - 90 тыс,
IOPS считывания - 100 тыс,
Выносливость (TBW) - 150 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 10 лет,
Подробнее
SSD Samsung 850 PRO MZ-7KE1T0BW 1 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MEX,
Тип памяти - 3D MLC NAND,
Внешняя скорость записи - 520 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 2 млн. ч,
IOPS записи - 90 тыс,
IOPS считывания - 100 тыс,
Выносливость (TBW) - 300 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.08 раз/день,
Гарантия производителя - 10 лет,
Подробнее
SSD Samsung 850 PRO MZ-7KE2T0BW 2 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MEX,
Тип памяти - 3D MLC NAND,
Внешняя скорость записи - 520 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с,
Наработка на отказ - 2 млн. ч,
IOPS записи - 90 тыс,
IOPS считывания - 100 тыс,
Выносливость (TBW) - 450 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.06 раз/день,
Гарантия производителя - 10 лет,
Подробнее
SSD Samsung 850 PRO MZ-7KE512BW 512 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 512 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MEX,
Тип памяти - 3D MLC NAND,
Внешняя скорость записи - 520 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 2 млн. ч,
IOPS записи - 90 тыс,
IOPS считывания - 100 тыс,
Выносливость (TBW) - 300 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.2 раз/день,
Гарантия производителя - 10 лет,
Подробнее
SSD Samsung 860 EVO M.2 MZ-N6E250BW 250 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 250 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - SATA 3,
Контроллер - Samsung MJX,
Буферная память - 512 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
Внешняя скорость записи - 520 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 97 тыс,
Выносливость (TBW) - 150 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 860 EVO MZ-76E250BW 250 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 250 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MJX,
Буферная память - 512 МБ / LPDDR4 /,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
Внешняя скорость записи - 520 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 90 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 150 ТБ,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 860 EVO MZ-76E2T0BW 2 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MJX,
Буферная память - 2048 МБ / LPDDR4 /,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
Внешняя скорость записи - 520 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 90 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее