Товары без предложений
Оперативная память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173QH0-CK0
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173QH0-YK0
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Рабочее напряжение - 1.35 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173QHO-CKO
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5273CH0-CH9
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1333 МГц,
Пропускная способность - 10600 МБ/с,
CAS-латентность - CL9,
Схема таймингов памяти - 9-9-9,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x4Gb M378B5273CH0-CK0
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x8Gb M378B1G73BH0-CH9
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1333 МГц,
Пропускная способность - 10600 МБ/с,
CAS-латентность - CL9,
Схема таймингов памяти - 9-9-9,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x8Gb M378B1G73BH0-CK0
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x8Gb M378B1G73DB0-CK0
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x8Gb M378B1G73EB0-CK0
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x8Gb M378B1G73EB0-YK0
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.35 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x8Gb M378B1G73QH0-CK0
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 1x8Gb M393B1G70EB0-YK0
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x1Gb M471B2873FHS-CF8
Объем памяти комплекта - 1 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1066 МГц,
Пропускная способность - 8500 МБ/с,
CAS-латентность - CL7,
Схема таймингов памяти - 7-7-7,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x2Gb M471B5673FH0-CH9
Объем памяти комплекта - 2 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1333 МГц,
Пропускная способность - 10600 МБ/с,
CAS-латентность - CL9,
Схема таймингов памяти - 9-9-9,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x4Gb M471B5173BH0-CH9
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1333 МГц,
Пропускная способность - 10600 МБ/с,
CAS-латентность - CL9,
Схема таймингов памяти - 9-9-9,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее