Товары без предложений
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x4Gb M471B5173CB0-YK0
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Рабочее напряжение - 1.35 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x4Gb M471B5173DB0-YK0
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Рабочее напряжение - 1.35 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x4Gb M471B5173EB0-YK0
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.35 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x4Gb M471B5173QH0-YK
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11-30,
Рабочее напряжение - 1.35 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x4Gb M471B5273BH1-CH9
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1333 МГц,
Пропускная способность - 10600 МБ/с,
CAS-латентность - CL9,
Схема таймингов памяти - 9-9-9,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x4Gb M471B5273CH0-CH9
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1333 МГц,
Пропускная способность - 10600 МБ/с,
CAS-латентность - CL9,
Схема таймингов памяти - 9-9-9,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x4Gb M471B5273CH0-CK0
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x4Gb M471B5273DH0-CH9
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1333 МГц,
Пропускная способность - 10600 МБ/с,
CAS-латентность - CL9,
Схема таймингов памяти - 9-9-9,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x4Gb M471B5273EB0-CK0
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x8Gb M471B1G73BH0-CH9
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1333 МГц,
Пропускная способность - 10600 МБ/с,
CAS-латентность - CL9,
Схема таймингов памяти - 9-9-9,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x8Gb M471B1G73BH0-CK0
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x8Gb M471B1G73BH0-YK0
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.35 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x8Gb M471B1G73DB0-YK0D0
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3 / L /,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.35 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR3 SO-DIMM 1x8Gb M471B1G73EB0-YK0
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11,
Рабочее напряжение - 1.35 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung DDR4 1x16Gb K4A8G085WR-U16GB32
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее