SSD Patriot Memory Transporter PTP512GPEC 512 ГБ
Тип - внешний,
Объем накопителя - 512 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 1000 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 1000 МБ/с,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD Patriot Memory Viper VP4300 Lite VP4300L1TBM28H 1 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Maxio MAP1602A,
Тип памяти - 3D TLC NAND / YMTC 232-слойная /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6400 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7400 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.8 млн. ч,
IOPS записи - 700 тыс,
IOPS считывания - 1000 тыс,
Выносливость (TBW) - 800 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Patriot Memory Viper VP4300 Lite VP4300L2TBM28H 2 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Maxiotek MAP1602A,
Тип памяти - 3D TLC NAND / YMTC 232-слойная /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6400 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7400 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.8 млн. ч,
IOPS записи - 700 тыс,
IOPS считывания - 1000 тыс,
Выносливость (TBW) - 1600 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Patriot Memory Viper VP4300 Lite VP4300L4TBM28H 4 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 4000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Maxiotek MAP1602A,
Тип памяти - 3D TLC NAND / YMTC 232-слойная /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6000 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7400 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.8 млн. ч,
IOPS записи - 700 тыс,
IOPS считывания - 900 тыс,
Выносливость (TBW) - 2000 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Patriot Memory Viper VP4300 Lite VP4300L500GM28H 500 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 500 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Maxiotek MAP1602A,
Тип памяти - 3D TLC NAND / YMTC 232-слойная /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 4000 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7000 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.8 млн. ч,
Выносливость (TBW) - 400 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.4 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Patriot Memory Viper VP4300 VP4300-2TBM28H 2 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - InnoGrit IG5236,
Буферная память - 2000 МБ / DDR4 /,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Micron 96L /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6800 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7400 МБ/с,
IOPS записи - 800 тыс,
IOPS считывания - 800 тыс,
Выносливость (TBW) - 2000 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD PNY CS900 SSD7CS900-2TB-RB 2 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Phison PS3111-S11-13,
Тип памяти - TLC,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 550 МБ/с,
Наработка на отказ - 2 млн. ч,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD PNY XLR8 CS3140 M.2 NVMe Gen4 M280CS3140-1TB-RB 1 ТБ без радиатора
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Phison PS5018-E18,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 5650 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7500 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 2 млн. ч,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD PrologiX S360 PRO512GS360 512 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 512 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Тип памяти - 3D TLC NAND,
Внешняя скорость записи - 510 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 530 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
Выносливость (TBW) - 240 ТБ,
Гарантия производителя - 1 год,
Подробнее
SSD Samsung 870 EVO MZ-77E1T0B/EU 1 ТБ EU
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 1024 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 128-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND /,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 600 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 1.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW 1 ТБ UA
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 1024 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 128-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND /,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 600 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 870 EVO MZ-77E250B/EU 250 ГБ EU
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 250 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 512 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 128-слойная 256-Гбит 3D TLC V-NAND /,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 150 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 870 EVO MZ-77E250BW 250 ГБ UA
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 250 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 512 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 128-слойная 256-Гбит 3D TLC V-NAND /,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 150 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B/EU 2 ТБ EU
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 2048 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 128-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND /,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 870 EVO MZ-77E2T0BW 2 ТБ UA (MZ-77E2T0BW)
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 2048 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 128-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND /,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее