SSD Samsung 870 EVO MZ-77E4T0B/EU 4 ТБ EU
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 4000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 4000 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 128-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND /,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 2400 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW 4 ТБ UA
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 4000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 4000 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 128-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND /,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 2400 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 870 EVO MZ-77E500B/EU 500 ГБ EU
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 500 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 512 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 128-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND /,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 300 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 870 EVO MZ-77E500BW 500 ГБ UA
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 500 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 512 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 128-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND /,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 300 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 870 QVO MZ-77Q1T0 1 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 1000 МБ,
Тип памяти - 3D QLC NAND,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 360 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0 2 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 2000 МБ,
Тип памяти - 3D QLC NAND,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 720 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD Samsung 870 QVO MZ-77Q4T0 4 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 4000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 4000 МБ,
Тип памяти - 3D QLC NAND,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 1440 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0 8 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 8000 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Контроллер - Samsung MKX,
Буферная память - 8000 МБ,
Тип памяти - 3D QLC NAND,
Внешняя скорость записи - 530 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 560 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 88 тыс,
IOPS считывания - 98 тыс,
Выносливость (TBW) - 2880 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 3 года,
Подробнее
SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0 1 ТБ без радиатора
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контроллер - Samsung Presto,
Буферная память - 1000 МБ / LPDDR4X /,
Тип памяти - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 13300 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 14700 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 2600 тыс,
IOPS считывания - 1850 тыс,
Выносливость (TBW) - 600 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0CW 1 ТБ с радиатором
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контроллер - Samsung Presto,
Буферная память - 1000 МБ / LPDDR4X /,
Тип памяти - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 13300 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 14700 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 2600 тыс,
IOPS считывания - 1850 тыс,
Выносливость (TBW) - 600 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 2 ТБ без радиатора
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контроллер - Samsung Presto,
Буферная память - 2000 МБ / LPDDR4X /,
Тип памяти - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 13400 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 14700 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 2600 тыс,
IOPS считывания - 1850 тыс,
Выносливость (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW 2 ТБ с радиатором
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контроллер - Samsung Presto,
Буферная память - 2000 МБ / LPDDR4X /,
Тип памяти - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 13400 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 14700 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 2600 тыс,
IOPS считывания - 1850 тыс,
Выносливость (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 4 ТБ без радиатора
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 4000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контроллер - Samsung Presto,
Буферная память - 4000 МБ / LPDDR4X /,
Тип памяти - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 13400 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 14800 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 2600 тыс,
IOPS считывания - 2200 тыс,
Выносливость (TBW) - 2400 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0CW 4 ТБ с радиатором
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 4000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 4x,
Контроллер - Samsung Presto,
Буферная память - 4000 МБ / LPDDR4X /,
Тип памяти - 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 13400 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 14800 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 2600 тыс,
IOPS считывания - 2200 тыс,
Выносливость (TBW) - 2400 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 970 EVO Plus M.2 MZ-V7S250BW 250 ГБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 250 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 3.0 4x,
Контроллер - Samsung Phoenix,
Буферная память - 512 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / 96-слойная (3-bit MLC) /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 2300 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 3500 МБ/с,
Ударостойкость при работе - 1500 G,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 550 тыс,
IOPS считывания - 250 тыс,
Выносливость (TBW) - 150 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее