SSD Samsung 980 PRO MZ-V8P2T0BW 2 ТБ без радиатора
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Samsung Elpis,
Буферная память - 2000 МБ / DDR4 /,
Тип памяти - 3D TLC NAND,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 5100 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7000 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 1000 тыс,
IOPS считывания - 1000 тыс,
Выносливость (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW 1 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x /,
Контроллер - Samsung Piccolo,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 133-Layer /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 4200 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 5000 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 800 тыс,
IOPS считывания - 620 тыс,
Выносливость (TBW) - 600 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E2T0BW 2 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x /,
Контроллер - Samsung Piccolo,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 133-Layer /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 4200 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 5000 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 800 тыс,
IOPS считывания - 700 тыс,
Выносливость (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW 1 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x /,
Контроллер - Samsung Piccolo,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 236-Layer (V8) /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6300 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7150 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 1350 тыс,
IOPS считывания - 850 тыс,
Выносливость (TBW) - 600 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW 2 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x /,
Контроллер - Samsung Piccolo,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 236-Layer (V8) /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6300 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7250 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 1350 тыс,
IOPS считывания - 1000 тыс,
Выносливость (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S4T0BW 4 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 4000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x /,
Контроллер - Samsung Piccolo,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 236-Layer (V8) /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6300 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7250 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 1400 тыс,
IOPS считывания - 1050 тыс,
Выносливость (TBW) - 2400 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW 1 ТБ без радиатора
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Samsung Pascal,
Буферная память - 1000 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6900 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7450 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 1550 тыс,
IOPS считывания - 1200 тыс,
Выносливость (TBW) - 600 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0GW 1 ТБ с радиатором
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Samsung Pascal,
Буферная память - 1000 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6900 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7450 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 1550 тыс,
IOPS считывания - 1200 тыс,
Выносливость (TBW) - 600 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW 2 ТБ без радиатора
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Samsung Pascal,
Буферная память - 1000 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6900 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7450 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 1550 тыс,
IOPS считывания - 1400 тыс,
Выносливость (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0CW 2 ТБ с радиатором
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Samsung Pascal,
Буферная память - 1000 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6900 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7450 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 1550 тыс,
IOPS считывания - 1400 тыс,
Выносливость (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0GW 2 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 2000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Samsung Pascal,
Буферная память - 1000 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6900 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7450 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 1550 тыс,
IOPS считывания - 1400 тыс,
Выносливость (TBW) - 1200 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW 4 ТБ без радиатора
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 4000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Samsung Pascal,
Буферная память - 1000 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6900 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7450 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 1550 тыс,
IOPS считывания - 1600 тыс,
Выносливость (TBW) - 2400 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW 4 ТБ с радиатором
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 4000 ГБ,
Форм-фактор - M.2,
Интерфейс M.2 - PCI-E 4.0 4x,
Контроллер - Samsung Pascal,
Буферная память - 1000 МБ,
Тип памяти - 3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /,
NVMe - +,
Внешняя скорость записи - 6900 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 7450 МБ/с,
Наработка на отказ - 1.5 млн. ч,
IOPS записи - 1550 тыс,
IOPS считывания - 1600 тыс,
Выносливость (TBW) - 2400 ТБ,
Перезапись (DWPD) - 0.3 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung PM1643a MZILT3T8HBLS 3.84 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 3840 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Тип памяти - 3D TLC NAND,
Внешняя скорость записи - 2000 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 2100 МБ/с,
IOPS записи - 90 тыс,
IOPS считывания - 450 тыс,
Перезапись (DWPD) - 1 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее
SSD Samsung PM1653 MZILG1T9HCJR 1.92 ТБ
Тип - внутренний,
Объем накопителя - 1920 ГБ,
Форм-фактор - 2.5",
Тип памяти - 3D NAND,
Внешняя скорость записи - 2400 МБ/с,
Внешняя скорость считывания - 4200 МБ/с,
IOPS записи - 85 тыс,
IOPS считывания - 720 тыс,
Перезапись (DWPD) - 1 раз/день,
Гарантия производителя - 5 лет,
Подробнее