Товары без предложений

Оперативная память Samsung DDR4 1x8Gb M378A1K43BB1-CPB

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - DIMM, Тип памяти - DDR4, Ранг / канальность памяти - одноранговая, Тактовая частота - 2133 МГц, Пропускная способность - 17000 МБ/с, CAS-латентность - CL15, Схема таймингов памяти - 15-15-15, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 1x8Gb M391A1G43DB0-CPB

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2133 МГц, Пропускная способность - 17000 МБ/с, CAS-латентность - CL15, Схема таймингов памяти - 15-15-15, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 1x8Gb M393A1G40EB1-CRC

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - DIMM, Тип памяти - DDR4, Ранг / канальность памяти - одноранговая, Тактовая частота - 2400 МГц, Пропускная способность - 19200 МБ/с, CAS-латентность - CL17, Схема таймингов памяти - 17-17-17, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 1x8Gb M393A1G43DB0-CPB00

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2133 МГц, Пропускная способность - 17000 МБ/с, CAS-латентность - CL15, Схема таймингов памяти - 15-15-15-42, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 1x8Gb M393A1K43BB0-CRC

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2400 МГц, Пропускная способность - 19200 МБ/с, CAS-латентность - CL17, Схема таймингов памяти - 17-17-17, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 1x8Gb M393A1K43BB1-CTD

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - DIMM, Тип памяти - DDR4, Ранг / канальность памяти - одноранговая, Тактовая частота - 2400 МГц, Пропускная способность - 19200 МБ/с, CAS-латентность - CL15, Схема таймингов памяти - 15-15-15, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 SO-DIMM M471A1G43DB0-CPB00

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2133 МГц, Пропускная способность - 17000 МБ/с, CAS-латентность - CL15, Схема таймингов памяти - 15-15-15, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 SO-DIMM M471A1G43EB1-CPB

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2133 МГц, Пропускная способность - 17000 МБ/с, CAS-латентность - CL15, Схема таймингов памяти - 15-15-15, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 SO-DIMM M471A1K43CB1-CRC

Объем памяти комплекта - 8 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2400 МГц, Пропускная способность - 19200 МБ/с, CAS-латентность - CL17, Схема таймингов памяти - 17-17-17, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 SO-DIMM M471A2K43BB1-CPB

Объем памяти комплекта - 16 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2133 МГц, Пропускная способность - 17000 МБ/с, CAS-латентность - CL15, Схема таймингов памяти - 15-15-15, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 SO-DIMM M471A2K43BB1-CRC

Объем памяти комплекта - 16 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2400 МГц, Пропускная способность - 19200 МБ/с, CAS-латентность - CL17, Схема таймингов памяти - 17-17-17, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 SO-DIMM M471A2K43CB1-CRC

Объем памяти комплекта - 16 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2400 МГц, Пропускная способность - 19200 МБ/с, CAS-латентность - CL17, Схема таймингов памяти - 17-17-17, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 SO-DIMM M471A5143DB0-CPB

Объем памяти комплекта - 4 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2133 МГц, Пропускная способность - 17000 МБ/с, CAS-латентность - CL15, Схема таймингов памяти - 15-15-15, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung DDR4 SO-DIMM M471A5143EB0-CPB00

Объем памяти комплекта - 4 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - SO-DIMM, Тип памяти - DDR4, Тактовая частота - 2133 МГц, Пропускная способность - 17000 МБ/с, CAS-латентность - CL15, Схема таймингов памяти - 15-15-15, Рабочее напряжение - 1.2 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее

Оперативная память Samsung M321 DDR5 1x32Gb M321R4GA3BB6-CQK

Объем памяти комплекта - 32 ГБ, Кол-во планок в комплекте - 1 шт, Форм-фактор - DIMM, Тип памяти - DDR5, Тактовая частота - 4800 МГц, Пропускная способность - 38400 МБ/с, CAS-латентность - CL40, Схема таймингов памяти - 40-39-39, Рабочее напряжение - 1.1 В, Тип охлаждения - без охлаждения, Профиль планки - стандартный,
Подробнее