Товары без предложений
Оперативная память Samsung M321 DDR5 1x64Gb M321R8GA0BB0-CQK
Объем памяти комплекта - 64 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 4800 МГц,
Пропускная способность - 38400 МБ/с,
CAS-латентность - CL40,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M321 DDR5 1x64Gb M321R8GA0PB0-CWM
Объем памяти комплекта - 64 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 5600 МГц,
Пропускная способность - 44800 МБ/с,
CAS-латентность - CL46,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M321 DDR5 1x96Gb M321RYGA0BB0-CQK
Объем памяти комплекта - 96 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 4800 МГц,
Пропускная способность - 38400 МБ/с,
CAS-латентность - CL40,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M323 DDR5 1x32Gb M323R4GA3BB0-CQK
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 4800 МГц,
Пропускная способность - 38400 МБ/с,
CAS-латентность - CL40,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M324 DDR5 1x32Gb M324R4GA3BB0-CQK
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 4800 МГц,
Пропускная способность - 38400 МБ/с,
CAS-латентность - CL40,
Схема таймингов памяти - 40-39-39,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M378 DDR3 1x4Gb M378B5273DH0-CK0
Объем памяти комплекта - 4 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Тактовая частота - 1600 МГц,
Пропускная способность - 12800 МБ/с,
CAS-латентность - CL11,
Схема таймингов памяти - 11-11-11-28,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M378 DDR4 1x16Gb M378A2G43AB3-CWE
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M378 DDR4 1x16Gb M378A2G43CB3-CWE
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M378 DDR4 1x16Gb M378A2K43EB1-CWE
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M378 DDR4 1x32Gb M378A4G43MB1-CTD
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 2666 МГц,
Пропускная способность - 21300 МБ/с,
CAS-латентность - CL19,
Схема таймингов памяти - 19-19-19-40,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M378 DDR4 1x8Gb M378A1G44AB0-CWE
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M378 DDR4 1x8Gb M378A1K43CB2-CTD
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 2666 МГц,
Пропускная способность - 21300 МБ/с,
CAS-латентность - CL19,
Схема таймингов памяти - 19-19-19,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M378 DDR4 1x8Gb M378A1K43DB2-CTD
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 2666 МГц,
Пропускная способность - 21300 МБ/с,
CAS-латентность - CL19,
Схема таймингов памяти - 19-19-19,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M378 DDR4 1x8Gb M378A1K43EB2-CWE
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M386 DDR4 1x128Gb M386AAG40MMB-CVF
Объем памяти комплекта - 128 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - четырехранговая,
Тактовая частота - 2933 МГц,
Пропускная способность - 23400 МБ/с,
CAS-латентность - CL21,
Схема таймингов памяти - 21-21-21,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее