Товары без предложений
Оперативная память Samsung M386 DDR4 1x64Gb M386A8K40DM2-CVF
Объем памяти комплекта - 64 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - четырехранговая,
Тактовая частота - 2933 МГц,
Пропускная способность - 23400 МБ/с,
CAS-латентность - CL21,
Схема таймингов памяти - 21-21-21,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M391 DDR4 1x16Gb M391A2G43BB2-CWE
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M391 DDR4 1x32Gb M391A4G43AB1-CVF
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 2933 МГц,
Пропускная способность - 23400 МБ/с,
CAS-латентность - CL21,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M391 DDR4 1x32Gb M391A4G43AB1-CWE
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M391 DDR4 1x32Gb M391A4G43BB1-CWE
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M391 DDR4 1x8Gb M393A1K43DB2-CWE
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR3 1x16Gb M393B2G70DB0-CMA
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR3,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 1866 МГц,
Пропускная способность - 14900 МБ/с,
CAS-латентность - CL13,
Рабочее напряжение - 1.5 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x128Gb M393AAG40M32-CAE
Объем памяти комплекта - 128 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - четырехранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x16Gb M393A2K40CB2-CVF
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 2933 МГц,
Пропускная способность - 23400 МБ/с,
CAS-латентность - CL21,
Схема таймингов памяти - 21-21-21,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x16Gb M393A2K40DB3-CWE
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x16Gb M393A2K40EB3-CWE
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x16Gb M393A2K43BB1-CRC
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 2400 МГц,
Пропускная способность - 19200 МБ/с,
CAS-латентность - CL17,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x16Gb M393A2K43BB1-CTD
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 2666 МГц,
Пропускная способность - 21300 МБ/с,
CAS-латентность - CL19,
Схема таймингов памяти - 19-19-19,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x16Gb M393A2K43DB3-CWE
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x32Gb M393A4G40AB3-CVF
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 2933 МГц,
Пропускная способность - 23400 МБ/с,
CAS-латентность - CL21,
Схема таймингов памяти - 21-21-21,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее