Товары без предложений
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x32Gb M393A4G40AB3-CWE
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x32Gb M393A4K40BB2-CTD
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 2666 МГц,
Пропускная способность - 21300 МБ/с,
CAS-латентность - CL19,
Схема таймингов памяти - 19-19-19,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x32Gb M393A4K40CB2-CVF
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 2933 МГц,
Пропускная способность - 23400 МБ/с,
CAS-латентность - CL21,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x32Gb M393A4K40DB2-CVF
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Тактовая частота - 2933 МГц,
Пропускная способность - 23400 МБ/с,
CAS-латентность - CL21,
Схема таймингов памяти - 21-21-21,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x32Gb M393A4K40DB2-CWE
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x32Gb M393A4K40DB3-CWE
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x32Gb M393A4K40EB3-CWE
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL22,
Схема таймингов памяти - 22-22-22,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x64Gb M393A8G40AB2-CVF
Объем памяти комплекта - 64 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 2933 МГц,
Пропускная способность - 23400 МБ/с,
CAS-латентность - CL21,
Схема таймингов памяти - 21-21-21,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x64Gb M393A8G40BB4-CWE
Объем памяти комплекта - 64 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 3200 МГц,
Пропускная способность - 25600 МБ/с,
CAS-латентность - CL21,
Схема таймингов памяти - 21-21-21,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M393 Registered DDR4 1x8Gb M393A1K43DB1-CVF
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - DIMM,
Тип памяти - DDR4,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 2933 МГц,
Пропускная способность - 23400 МБ/с,
CAS-латентность - CL21,
Схема таймингов памяти - 21-21-21,
Рабочее напряжение - 1.2 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x16Gb M425R2GA3BB0-CQK
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 4800 МГц,
Пропускная способность - 38400 МБ/с,
CAS-латентность - CL40,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x16Gb M425R2GA3BB0-CWM
Объем памяти комплекта - 16 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 5600 МГц,
Пропускная способность - 44800 МБ/с,
CAS-латентность - CL46,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x32Gb M425R4GA3BB0-CQKOD
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 4800 МГц,
Пропускная способность - 38400 МБ/с,
CAS-латентность - CL40,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x32Gb M425R4GA3BB0-CWM
Объем памяти комплекта - 32 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Ранг / канальность памяти - двухранговая,
Тактовая частота - 5600 МГц,
Пропускная способность - 44800 МБ/с,
CAS-латентность - CL46,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее
Оперативная память Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x8Gb M425R1GB4BB0-CQK
Объем памяти комплекта - 8 ГБ,
Кол-во планок в комплекте - 1 шт,
Форм-фактор - SO-DIMM,
Тип памяти - DDR5,
Ранг / канальность памяти - одноранговая,
Тактовая частота - 4800 МГц,
Пропускная способность - 38400 МБ/с,
CAS-латентность - CL40,
Рабочее напряжение - 1.1 В,
Тип охлаждения - без охлаждения,
Профиль планки - стандартный,
Подробнее